基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟

• 作者: 余志平 田立林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 能带结构 纳米 器件模拟
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 248-251
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.063

摘要

随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局限在数纳米量级时,一个更基本的固体物理问题,即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性,逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的影响.本文讨论如何从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构.在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,还研究了载流子迁移率与晶向的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0