低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

• 作者: 丁恒 卢启堂 王家礼
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: HBT 压控振荡器 微波单片集成电路 相位噪声
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 4-5,9
• 页数: 3页
• 分类号: TN753.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.08.010

摘要

与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中.采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HVT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0～9.5 GHz;输出功率Pout=7～9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffest为100kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王家礼	西安电子科技大学机电工程学院	65	586	14.0	20.0
2	丁恒	西安电子科技大学机电工程学院	1	1	1.0	1.0
3	卢启堂		1	1	1.0	1.0