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摘要:
采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响.X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射.在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰.空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射.实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质.
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文献信息
篇名 退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 ZnO薄膜 磁控溅射 X射线衍射 光致发光
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 660-665
页数 6页 分类号 O484
字数 3751字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.050
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
磁控溅射
X射线衍射
光致发光
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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38029
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