快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响

• 作者: 吴冬冬 席珍强 杨德仁 阙端麟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 氧沉淀 Cu Ni
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 413-418
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.006

摘要

研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响.基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论,对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0
4	吴冬冬	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	23	2.0	4.0