基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用

• 作者: 秦玉文 胡明 计欣华 邸玉贤 陈金龙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 残余应力 孔隙率 多孔硅
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5451-5454
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.078

摘要

通过基底曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置,它具有全场性、非接触性、高分辨率、无破坏、数据获取速度快等特点.使用该装置测量了电化学腐蚀法制作的多孔硅薄膜的残余应力,并研究了孔隙率和基底掺杂浓度对残余应力的影响,结果表明随着孔隙率的增加和硼离子掺杂浓度的提高,多孔硅表面的拉伸应力逐渐加大,由此表明多孔硅薄膜的微观结构与残余应力的大小有着密切的联系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金龙	天津大学机械工程学院力学系	40	526	11.0	22.0
2	秦玉文	天津大学机械工程学院力学系	29	299	11.0	16.0
3	计欣华	天津大学机械工程学院力学系	24	203	9.0	13.0
4	胡明	天津大学电信学院电子科学与技术系	139	1336	19.0	28.0
5	邸玉贤	天津大学机械工程学院力学系	4	44	4.0	4.0