离子阱中热库诱导退相干的控制

• 作者: 王中结
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 囚禁离子 退相干 退相干抑制
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 757-761
• 页数: 5页
• 分类号: O562
• 字数: 3615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2006.04.035

摘要

对单个囚禁离子在热库作用下的退相干的控制问题进行了研究.本文提出的控制方法是基于消除自由哈密顿技术和脉冲重聚技术的结合.前者是利用一个经典大失谐激光场作用于囚禁离子来实现的,而后者是利用一系列的激光π脉冲来实现的.解析与数值表明,应用这种控制方法可以有效消除量子退相干且比纯粹应用脉冲重聚技术要好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王中结	安徽师范大学物理系	40	70	5.0	6.0