贵金属掺杂Ti/TiO2电极的制备及其电催化性能研究

• 作者: 姚书典 孙娟 沈嘉年
• 来源期刊: 化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 钛阳极 电催化 掺杂 多孔薄膜 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 647-651
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0567-7351.2006.07.010

摘要

采用阳极氧化-阴极电沉积两步法:先在钛基体上用阳极氧化法制备多孔TiO2薄膜,接着在这层多孔状薄膜上采用阴极电沉积方法掺杂Pt,Ir来制备Ti/TiO2-Pt修饰电极和Ti/TiO2-Ir修饰电极.用XRD,SEM分析了掺杂前后的成分、相结构及表面形貌的变化,结果表明:Pt优先沉积在TiO2多孔中;与Pt不同,Ir没有表现出在TiO2孔中优先沉积的现象,出现这种现象的原因是这两种贵金属的电沉积电位相对于n-TiO2的平带电位不同.使用SIMS分析了在Ti/TiO2-(Pt/Ir)修饰电极中Ti,Pt,Ir的浓度分布,大致算出TiO2薄膜厚度为750 nm左右.由极化曲线和阻抗谱结果得出:掺杂Pt,Ir明显改善了Ti/TiO2电极的电催化性能,且随着Pt沉积时间的增长,修饰电极在硫酸析氧反应中的电催化活性提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈嘉年	上海大学材料研究所	56	896	20.0	27.0
2	姚书典	上海大学材料研究所	5	72	4.0	5.0
6	孙娟	上海大学材料研究所	13	114	6.0	10.0