Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释

• 作者: 魏群
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3:V2+晶体 自旋哈密顿参量 局域结构
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 224-227,236
• 页数: 5页
• 分类号: TB32|O732
• 字数: 3028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.005

摘要

在考虑微小磁相互作用(包括SS、SOO和OO作用)的基础上,采用全组态完全对角化方法,建立了Al2O3晶体中V2+离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系,对Al2O3:V2+晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿(SH)参量给出了统一的解释.结果表明,V2+离子进入Al2O3晶体后,上下配体氧平面分别沿C3轴向远离三角中心的方向移动了0.0021nm和0.0020nm.理论计算结果与实验值符合甚好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏群	宝鸡文理学院物理系	16	65	5.0	7.0