新一代栅介质材料--高K材料

• 作者: 严辉 宋雪梅 李驰平 王波
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 高K材料 SiO2栅介质减薄 等效SiO2厚度
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 17-20,25
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 6082字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2006.02.005

摘要

介绍了微电子工业的发展趋势和SiO2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料科学与工程学院	80	638	11.0	23.0
3	宋雪梅	北京工业大学材料科学与工程学院	44	498	11.0	21.0
4	李驰平	北京工业大学材料科学与工程学院	4	42	3.0	4.0