用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓

• 作者: 刘世杰 唐雄贵 姚欣 杜惊雷 段茜 陈铭勇 马延琴
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 厚层抗蚀剂曝光模型 显影轮廓 显影线宽 边墙陡度
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 微细加工技术
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2006.04.012

摘要

考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异.模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论.通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想.对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚欣	四川大学物理科学与技术学院	15	85	6.0	8.0
2	马延琴	四川大学物理科学与技术学院	6	45	5.0	6.0
3	杜惊雷	四川大学物理科学与技术学院	77	611	13.0	18.0
4	陈铭勇	四川大学物理科学与技术学院	8	78	6.0	8.0
5	唐雄贵	四川大学物理科学与技术学院	21	174	7.0	12.0
6	刘世杰	四川大学物理科学与技术学院	14	213	8.0	14.0
7	段茜	四川大学物理科学与技术学院	9	84	5.0	9.0