CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

• 作者: 唐世红 张冬敏 方军 朱世富 程曦 赵北君 陈俊 高德友
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲锌镉晶片 表面处理 漏电流 电阻率 形貌
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 715-718
• 页数: 4页
• 分类号: O799
• 字数: 2087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.010

摘要

报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	高德友	四川大学材料科学系	13	135	6.0	11.0
4	唐世红	四川大学材料科学系	18	98	5.0	9.0
5	陈俊	四川大学材料科学系	34	182	6.0	12.0
6	程曦	四川大学材料科学系	6	79	3.0	6.0
7	方军	四川大学材料科学系	3	6	1.0	2.0
8	张冬敏	四川大学材料科学系	3	6	1.0	2.0