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摘要:
采用GDARE法在较低温度下,通过一次和多次沉积制备单层及多层ZnO薄膜.AFM和XRD分析表明,薄膜具有以ZnO(002)晶面取向为主的多晶结构,多层膜的晶粒尺寸增大.经200~300℃退火热处理,薄膜呈现出良好的低压压敏特性.经200℃退火热处理后,多层ZnO薄膜的非线性系数达到61.54,压敏电压20.10V.在一定范围内升高热处理温度,可明显降低压敏电压.分析了不同膜层及热处理温度对ZnO薄膜压敏特性的影响机理.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 低温沉积ZnO薄膜的压敏特性及其热处理影响
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 ZnO薄膜 低温 膜层 热处理 压敏电压 非线性系数
年,卷(期) 2006,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1763-1766
页数 4页 分类号 O484.4
字数 2375字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陆慧 华东理工大学物理系 20 99 6.0 9.0
2 杜明贵 华东理工大学物理系 3 26 3.0 3.0
3 夏姣贞 华东理工大学物理系 2 11 2.0 2.0
4 王璞 华东理工大学物理系 1 5 1.0 1.0
5 徐晓峰 华东理工大学物理系 1 5 1.0 1.0
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
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