直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜

• 作者: 刘文 卫静婷 杨清斗 王质武
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铝薄膜 直流磁控溅射 择优取向
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 1113-1117
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.042

摘要

采用直流磁控溅射法,Al靶直径75mm,靶基距9cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在Si(100)衬底上制备AlN薄膜.结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性.结果表明,所制备的多晶AlN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°.XPS剥蚀260min后O的原子浓度降为6.24%,Al和N化学剂量比非常接近1:1.AlN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右.表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文		3	11	2.0	3.0
2	王质武		2	10	2.0	2.0
3	杨清斗		2	10	2.0	2.0
4	卫静婷		1	3	1.0	1.0