氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

• 作者: 余林蔚 吴良才 宋捷 李伟 王久敏 陈坤基 黄信凡
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅 氮化硅 电容电压法 电流电压法
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6080-6084
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.084

摘要

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄信凡	南京大学物理系固体微结构国家重点实验室	11	88	4.0	9.0