掺锰硅材料的电流振荡特性

• 作者: Bakhadyrkhanov M K Zikrillaev N F 丛秀云 巴维真 张建 陈朝阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 掺杂 补偿 电流振荡
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1582-1585
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.013

摘要

用高温扩散方法制备出补偿Si∶(B,Mn)材料,并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系.结果表明:在一定光照和电场范围内(276～305V/cm),电阻率为104Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性;在一定的电场下,电流振荡波形是固定的,不随时间变化;振荡频率随光照强度的增大而线性增大;调制系数随着光强的增强而减弱;振荡的最大值随着光照强度增大而减小,最小值随着光强增大而缓慢增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建	中国科学院新疆理化技术研究所	113	802	13.0	25.0
2	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
3	巴维真	中国科学院新疆理化技术研究所	25	201	8.0	13.0
4	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0