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摘要:
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.
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文献信息
篇名 电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 电子束 X射线光刻 微波带片 菲涅耳波带片
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1147-1150
页数 4页 分类号 TN305.7
字数 3108字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.039
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶甜春 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室 200 911 14.0 18.0
2 王德强 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室 28 248 10.0 14.0
3 谢常青 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室 50 258 9.0 12.0
4 曹磊峰 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 22 85 6.0 8.0
传播情况
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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