1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究

• 作者: 乔明 张波 方健 李肇基 肖志强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多区 LDMOS RESURF BCD工艺
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1447-1452
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.022

摘要

提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43.8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	方健	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	304	9.0	16.0
4	乔明	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	178	8.0	12.0
5	肖志强	中国电子科技集团公司第五十八研究所	10	60	5.0	7.0