硅系太阳电池表面钝化技术比较

• 作者: 王正志 王涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钝化 少数载流子有效寿命 光谱响应
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 506-508
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.5
• 字数: 2038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.07.008

摘要

通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价.从上述三个方面的比较可以看出,RTO/SiNx堆叠钝化技术在提高硅太阳电池性能上是最优的,具有良好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王正志	国防科技大学自动化学院	85	629	13.0	20.0
2	王涛	国防科技大学自动化学院	80	574	11.0	21.0