EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型

• 作者: 冯耀兰 张正璠 张海鹏 汪沁 魏同立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上硅 CMOS 高温 模型 下降时间
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.009

摘要

详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院	36	96	5.0	7.0
2	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
3	冯耀兰	东南大学微电子中心	11	26	3.0	4.0
4	汪沁	浙江万里学院计算机科学与信息技术学院	13	58	5.0	7.0
5	张正璠		17	94	6.0	9.0