电偶腐蚀法制备多孔硅的研究

• 作者: 宗杨 房振乾 梁继然 窦雁巍 胡明
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 多孔硅 电偶腐蚀法 腐蚀条件 厚度 表面形貌
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 页码范围: 45-48,52
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2006.11.010

摘要

用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析.实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	房振乾	天津大学电子信息工程学院	11	150	6.0	11.0
3	梁继然	天津大学电子信息工程学院	31	108	6.0	8.0
4	窦雁巍	天津大学电子信息工程学院	13	165	8.0	12.0
5	宗杨	天津大学电子信息工程学院	5	55	4.0	5.0