AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展

• 作者: 吕长志 张小玲 张浩 徐立国 朱修殿 鲁小妹
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 高温特性 二维电子气
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 2406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.01.015

摘要

回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性.最后总结了适合高温下工作的AlGaN/GaN HEMT的改进方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕长志	北京工业大学电子信息与控制工程学院	60	471	12.0	18.0
2	徐立国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	22	2.0	3.0
3	张小玲	北京工业大学电子信息与控制工程学院	69	447	11.0	18.0
4	鲁小妹	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	5	2.0	2.0
5	朱修殿	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	35	3.0	4.0
6	张浩	北京工业大学电子信息与控制工程学院	21	93	5.0	9.0