InN薄膜的退火特性

• 作者: 修向前 刘斌 张荣 施毅 朱顺明 毕朝霞 江若琏 濮林 谢自力 赵红 郑有炓 陈敦军 韩平 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InN 热退火 X射线衍射 扫描电子显微镜 X射线光电子谱
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 340-344
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2592字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.027

摘要

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.