非掺杂半绝缘态InP中补偿缺陷正电子寿命谱的研究

• 作者: 戴剑 杨勋 王世超 邓爱红
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 正电子寿命谱 非掺杂半绝缘InP 补偿缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 129-133
• 页数: 5页
• 分类号: O571.23|O472
• 字数: 3192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2006.01.024

摘要

作者利用正电子湮灭寿命谱(PAL)、光激电流瞬态谱(PICTS)及Hall效应,研究了非掺杂半绝缘(SI)InP中补偿缺陷的形成,即在磷化铁(IP)及纯磷(PP)气氛下不同退火条件时其缺陷的发展变化,从而探讨原生非掺InP形成SI.态的机制.实验的原始材料都是用液封直拉法(LEC)生长的n型非掺InP.对原生InP,铟空位VIn及与之相关的缺陷是主要的正电子捕获陷阱,VInH4复合体是使材料成为n型材料的原因.在IP SI-InP的形成中,Fe原子扩散进入VIn,可产生替位的补偿缺陷FeIn,Fe的扩散压制了一些空位缺陷的形成,并使正电子平均寿命变小.对于PP SI-InP,退火初期VInH4复合体分解成受主型缺陷VInHn(n-3)(n=0,1,2,3),能补偿剩余的施主型缺陷,长时间退火后EL2型反位深施主缺陷PIn的形成又补偿了受主缺陷.两种气氛均能使材料成为SI态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学应用物理系	26	66	5.0	6.0
2	王世超	四川大学应用物理系	8	19	2.0	4.0
3	杨勋	四川大学应用物理系	6	5	2.0	2.0
4	戴剑	四川大学应用物理系	1	2	1.0	1.0