集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

• 作者: 刘国华 吕幼华 孙玲玲 张海鹏 李文钧 汪沁 汪洁 高明煜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构 工艺 PIC
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 279-282
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2478字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.070

摘要

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏	杭州电子科技大学电子信息学院	36	96	5.0	7.0
2	高明煜	杭州电子科技大学电子信息学院	50	306	10.0	15.0
3	汪沁	浙江万里学院计算机科学与信息学院	13	58	5.0	7.0
4	吕幼华	杭州电子科技大学电子信息学院	6	18	3.0	4.0
5	刘国华	杭州电子科技大学电子信息学院	33	65	4.0	7.0