三指发射极InGaP/GaAS HBT的研制

• 作者: 刘训春 朱旻 杨威 王润梅 申华军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极型晶体管 三指发射极 自对准
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1604-1607
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 2230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.018

摘要

异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨威	中国科学院微电子研究所	60	460	11.0	19.0
2	朱旻	中国科学院微电子研究所	18	38	4.0	4.0
3	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
4	王润梅	中国科学院微电子研究所	15	78	6.0	8.0
5	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0