纳米6H-SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光

• 作者: 于威 傅广生 崔双魁 王春生 路万兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米碳化硅 化学气相沉积 紫外发光
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1767-1770
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.013

摘要

采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiC TO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
3	路万兵	河北大学物理科学与技术学院	17	86	6.0	9.0
4	王春生	河北大学物理科学与技术学院	14	44	4.0	6.0
5	崔双魁	河北大学物理科学与技术学院	3	14	2.0	3.0