基于数字采样示波器的InGaAsP单光子雪崩二极管的特性

• 作者: 刘伟 吴孟 杨富华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAsP单光子雪崩二极管 50GHz数字采样示波器 门模式
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1711-1716
• 页数: 6页
• 分类号: TN312+.7
• 字数: 687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.003

摘要

介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统.使用带宽50GHz的数字采样示波器,首次直观地展现了门模式(即盖革模式)工作状态下,单光子探测的模式和过程.并且在波长分别为1310和1550nm的情况下进行了定量研究.在1550nm,工作温度203K条件下,该探测器达到了暗计数概率2.4×10-3每门,量子效率52%,50kHZ的门信号重复频率;在工作温度为238K时,相应参数分别为8.5×10-3,43%和200kHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伟	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	422	5903	37.0	59.0
2	杨富华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	49	227	9.0	14.0
3	吴孟	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	3	12	2.0	3.0