单片同步整流芯片中功率MOSFET分析及电路仿真

• 作者: 姚丰 孙林军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 同步整流 WFET 死区时间控制 过零检测
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 143-145,149
• 页数: 4页
• 分类号: TN7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.03.041

摘要

同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术.遵循转换效率最高原则,使用器件结构仿真软件Medici对同步整流DC-DC变换器中的功率MOSFET进行结构分析,并得出选择建议.同时在Cadence中对同步整流技术相关电路进行仿真分析,得到了同步整流技术中的功率器件优化结果和外围线路结构.