基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路.提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器.采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8 V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106 dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260 kHz,功耗仅为 3.9 μW.
推荐文章
一种折叠共源共栅运算放大器的设计
CMOS
运算放大器
折叠共源共栅
Hspice W-2005.03
一种低压低功耗CMOS折叠-共源共栅运算放大器的设计
运算放大器
折叠-共源共栅
AB 类输出
低压低功耗
基于准浮栅的低功耗差分运算放大器
准浮栅
差分运算放大器
共模反馈
基于准浮栅技术的超低压运算放大器
准浮栅
超低压
运算放大器
CMOS
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 33-36
页数 4页 分类号 TN402
字数 2629字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨银堂 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 420 2932 23.0 32.0
2 朱樟明 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 164 1318 18.0 26.0
3 张宝君 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 4 16 2.0 4.0
4 张海军 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 4 16 2.0 4.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (2)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1995(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2006(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2011(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
准浮栅
超低压
运算放大器
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导