电子碰撞引起的元素钬和锇的L壳电离

• 作者: 何福庆 勾成俊 吴章文 彭秀峰 杨代伦 罗正明
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: 钬 锇 L壳电离 电子碰撞
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1369-1372
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2006.12.001

摘要

无论在基础研究方面,还是在高技术应用方面,电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义.目前电子轰击元素K和L壳层电离截面的测量多采用薄靶或气体靶,气体靶仅限于少数气体元素,而薄靶又因制靶的困难使测量工作难于开展.为了解决这些难题,提出在厚衬底上镀薄膜的新方法来测量元素内壳电离截面.用薄靶厚衬底技术测量了电子碰撞引起的元素钬和锇L壳分产生截面、总产生截面和平均电离截面,电子能量从阈能附近到36keV.同时,采用电子输运双群模型对衬底反射电子的影响作修正,并把实验结果与Gryzinski和McGuire的两个理论计算结果进行比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何福庆		6	21	3.0	4.0
2	彭秀峰	辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所	5	16	2.0	4.0
3	罗正明	辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所	3	16	2.0	3.0
4	杨代伦	辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所	3	16	2.0	3.0
5	勾成俊	辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所	6	24	3.0	4.0
6	吴章文	辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所	6	49	3.0	6.0