一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

• 作者: 刘丹 刘新宇 刘果果 吴德馨 和致经 陈晓娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 模型 膝点电压 衬底
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1984-1988
• 页数: 5页
• 分类号: TN814+.7
• 字数: 2473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.019

摘要

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	刘丹	中国科学院微电子研究所	52	328	10.0	15.0
5	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
6	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0