Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向

• 作者: 张雅婷 徐章程 李菲晖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu 电沉积 Si衬底 择优取向
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 728-731
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1650字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.013

摘要

采用电化学沉积技术在Si衬底上沉积了Cu膜.场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒, 并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关.在Si(100) 衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加.在相同沉积条件下,在斜切角较小的Si(111)和Si(100)衬底上择优取向面都是铜 (220) 面,而在斜切角为4°的Si(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐章程	南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室	3	26	2.0	3.0
2	张雅婷	南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室	2	26	2.0	2.0
3	李菲晖	天津大学化学化工学院	1	23	1.0	1.0