AFM在不同参数下实现阳极氧化纳米加工

• 作者: 孙志 秦水介
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AFM针尖诱导阳极氧化 Si氧化点 偏置电压 脉冲时间
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 751-753,757
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.008

摘要

用原子力显微镜(AFM)研究了电场诱导氧化理论以及偏置电压和脉冲时间对加工结构尺寸的影响.通过实验得出了偏压、脉冲时间越大,加工尺寸越大的结论.并总结出氧化加工Si较好的参数范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦水介	贵州大学贵州省光电子技术及应用重点实验室	56	190	6.0	11.0
2	孙志	贵州大学贵州省光电子技术及应用重点实验室	5	5	2.0	2.0