微加工工艺应力的喇曼在线测量

• 作者: 张大成 张文栋 桑胜波 熊继军 薛晨阳 郝一龙 阮勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微加工工艺 残余应力 喇曼 在线测量
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1141-1146
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 3308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.038

摘要

针对微加工工艺过程造成的残余应力,文中提出了喇曼在线测量方法,并对最常用的三种微加工工艺:淀积、腐蚀或刻蚀及键合进行了喇曼在线测量.测量结果与理论分析相符,淀积工艺中,氮化硅对硅片造成的残余应力比氧化硅造成的大,且氧化硅在硅衬底上形成的残余应力是压应力,氮化硅形成的是张应力;刻蚀工艺和键合工艺对硅片造成了相对较大的应力分布,且都为张应力,最大值超过300MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝一龙	北京大学微电子研究院	46	716	15.0	25.0
2	张文栋	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	167	1172	16.0	26.0
3	薛晨阳	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	136	765	14.0	21.0
4	熊继军	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	111	702	13.0	19.0
5	张大成	北京大学微电子研究院	43	793	13.0	27.0
6	桑胜波	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	3	19	3.0	3.0
7	阮勇	北京大学微电子研究院	6	52	3.0	6.0