微晶硅薄膜晶体管稳定性研究

• 作者: 刘建平 吴春亚 孟志国 张芳 李娟 熊绍珍 赵淑云
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 过渡区硅材料 微晶硅薄膜晶体管 稳定性 自恢复衰退
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6612-6616
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.072

摘要

对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管,测试其偏压衰退特性时,观察到一种"自恢复"的衰退现象.当栅和源漏同时施加10 V的偏压时,测试其源-漏电流随时间的变化,发现源-漏电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用栅压为10 V、源-漏之间施加零偏压的模式时,源-漏电流随时间呈先是几乎指数式下降、随之是衰退速度减缓的正常衰退趋势.就此现象进行了初步探讨.