npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

• 作者: 张晓菊 张金凤 杨燕 郝跃 马琳 龚欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 物理模型 异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1600-1603
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.017

摘要

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	18	93	5.0	8.0
3	张晓菊	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	11	35	4.0	5.0
4	马琳	西安电子科技大学技术物理学院	15	117	4.0	10.0
5	龚欣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	19	2.0	4.0
6	张金凤	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	16	87	7.0	8.0