1OOV高压pMOS器件研制

• 作者: 夏洋 宋李梅 李桦 杜寰 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压集成电路 LDMOS 厚栅氧
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 275-278
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.069

摘要

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
3	李桦	中国科学院微电子研究所	6	36	3.0	6.0
4	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
5	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0