Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长

• 作者: 修向前 刘成祥 夏冬梅 张荣 施毅 朱顺明 李志兵 王荣华 符凯 谢自力 郑有炓 韩平 韩甜甜 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 Ge薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 151-154
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.037

摘要

用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.