六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究

• 作者: 于海波 林祖伦 祁康成
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硼化镧 单晶 光刻 化学腐蚀
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TQ128
• 字数: 2292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.007

摘要

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大,可靠性及均匀性低,发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题.与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面,同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性,是作为阴极发射体的理想材料[1].而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用,本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究,并得到了图形化的六硼化镧表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	于海波	电子科技大学光电信息学院	1	11	1.0	1.0