SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变

• 作者: 张义门 张玉明 郜锦侠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 埋沟MOS结构 夹断模式 C-V特性 SiC 畸变
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1259-1263
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.021

摘要

用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	郜锦侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	8	42	3.0	6.0