具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制

• 作者: 刘新宇 刘果果 刘键 吴德馨 和致经 李诚瞻 郑英奎 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 欧姆接触 跨导 输出功率密度
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 262-265
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.066

摘要

研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω·cm2的欧姆接触率,并在此基础上对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论.通过器件工艺的优化,研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT器件.栅宽40μm的器件跨导达到250mS/mm,fT达到70GHz;栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5V),Vds=30V时,8GHz工作频率下(在片测试)器件的输出功率为32.5dBm(1.6W),输出功率密度达到2.14W/mm,功率增益为12.7dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
5	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
6	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
7	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
8	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0