一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统

• 作者: 叶甜春 和致经 尹军舰 张海英 李海鸥
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 膺配高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 砷化镓
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 9-11,109
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.93
• 字数: 280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.003

摘要

研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au).在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120 s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60 s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2,同时合金后表面形貌光滑、平整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
5	李海鸥	中国科学院微电子研究所	6	22	3.0	4.0