He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究

• 作者: 河裾厚男 陈志权
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 慢正电子束 ZnO 离子注入 缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4353-4357
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.096

摘要

在ZnO单晶样品中注入了能量为20-100 keV、总剂量为4.4×1015 cm-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷.结果表明,He 离子注入ZnO产生了双空位或更大的空位团.在400 ℃以下退火后,He开始填充到这些空位团里面,造成空位团的有效体积减少.经过400 ℃以上升温退火后,这些空位团的尺寸开始增大,但由于有少量的He仍然占据在空位团内,因此直到800 ℃这些空位团仍保持稳定.高于800 ℃退火后,由于He的脱附,留下的空位团很快回复,在1000 ℃下得到完全消除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志权	武汉大学物理系	12	28	4.0	4.0