用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜

• 作者: 冯良桓 姚菲菲 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 陈卫东 雷智 黎兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlSb多晶薄膜 磁控溅射 退火 太阳电池
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 541-544
• 页数: 4页
• 分类号: TN03
• 字数: 1995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.029

摘要

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb成分比,结果表明AlSb多晶薄膜具有单一的晶相、均匀的结构,以及粒径大约20nm的晶粒.根据电导率(lnσ)与温度(T)的关系得到电导激活能为0.21和0.321eV,为制备出适用于太阳电池的AlSb多晶薄膜奠定了一定的技术基础.