ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤

• 作者: 刘成 劳燕锋 吴惠桢 张军 曹萌 江山 黄占超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 178-182
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.035

摘要

为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.