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微波数字基站用上GaN晶体管
微波数字基站用上GaN晶体管
作者:
程文芳
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GaN
半导体晶体
氮化镓
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微波数字基站用上GaN晶体管
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工学
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GaN
半导体晶体
氮化镓
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补偿电路
配备使用
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技术研究所
年,卷(期)
2006,(4)
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32-32
页数
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分类号
TN325
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期刊影响力
半导体信息
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
总被引数(次)
664
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