一种抗单粒子翻转的SOI器件结构

• 作者: 张正选 贺威
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转 SOI CMOS
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 291-294
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.072

摘要

介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.最后对基于可偏压隔离阱的抗单粒子翻转器件的应用给予了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	56	4.0	6.0
2	贺威	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	5	9	2.0	2.0