并五苯场效应管的电学特性

• 作者: Beton P H 邓金祥 陈光华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜场效应管 并五苯 电学特性
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 214-217
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.5
• 字数: 2515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.055

摘要

介绍了用高真空中热蒸发镀膜的方法制备并五苯薄膜场效应晶体管.作为场效应管半导体层的并五苯薄膜沉积在p型Si(100)(14.0～20.0 Ω·cm)衬底上.场效应管中并五苯薄膜厚度为70nm,源极、漏极和栅极(Au)的厚度均为50nm,绝缘层SiO2的厚度为300nm,沟道宽度为190μm,沟道长度为15μm.用AFM表征了并五苯薄膜表面形貌,并研究了薄膜生长速率对并五苯场效应晶体管电学特性的影响.在薄膜生长速率为0.24和1.36 nm/min时,场效应管的载流子迁移率分别为2.7×10-4和2.2×10-6 cm2/(V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
2	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0