硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

• 作者: 任军 尤焕成 李立萍 杨帆 杨谟华 王向展 郑薇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 片上螺旋电感 物理模型 2π等效电路 趋肤效应 邻近效应 衬底涡流损耗
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1084-1088
• 页数: 5页
• 分类号: TN454
• 字数: 2727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.027

摘要

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李立萍		57	562	14.0	21.0
2	杨谟华		58	278	8.0	11.0
3	王向展		32	142	7.0	9.0
4	尤焕成		5	32	4.0	5.0
5	郑薇		4	22	3.0	4.0
6	任军		4	22	3.0	4.0
7	杨帆		36	128	7.0	9.0