脉冲慢正电子束流的直流化装置

• 作者: 曹兴忠 王宝义 王平 章志明 薛德胜 马雁云 魏存峰 魏龙
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 彭宁离子阱 直流化 慢正电子束流 正电子湮没
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 加速器
• 页码范围: 1010-1013
• 页数: 4页
• 分类号: O57
• 字数: 2933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2006.10.015

摘要

在基于加速器的北京慢正电子强束流装置上,用Penning-Trap技术实现了脉冲慢正电子束流的存储和直流化.实验表明,系统的真空度对正电子的存储效率有严重影响,脉冲正电子的释放方式决定了直流化后束流的能量分散;改变释放级信号波形以及释放方式可以得到能量分散小于1eV的准直流化慢正电子束流.